طراحی و شبیه سازی آشکار ساز فلز-نیمه هادی-فلز سرعت بالای مبتنی بر نانو ساختار های پلاسمونی.

thesis
abstract

آشکارساز نوری که در این پایان نامه از بررسی می شود از نوع رسانای نوری است.اساس کار بر این است که یک نیمه هادی بدون ناخالصی داریم این نیمه هادی را به دو کنتاکت فلزی وصل کرده و منبع ولتاژی به دو سر اتصال فلزی اعمال می کنیم فوتون های نور به این ساختار تابانده می شوند و با جذب فوتون جفت الکترون حفره تولید می شود وتحت تاثیر میدان الکتریکی به سمت کنتاکت ها حرکت می کنند.

similar resources

شبیه سازی موجبر پلاسمونی مبتنی بر ساختار گرافن-فلز

درابتدا مروری گذرا بر کارهای انجام شده در زمینه تولید امواج پلاسمونی سطحی با گرافن و همچنین مدولاتورهای تراهرتز ارائه و شرایط لازم برای ایجاد امواج پلاسمونی در سطح فلز بررسی می شود. سپس، با بهره گیری از رابطه پاشندگی گرافن و رابطه کوبو، خواص پلاسمونی گرافن مرور خواهد شد. آنگاه، پس از توضیح درباره روش مدل کردن مواد مورد استفاده، برای درستی آزمایی نتایج شبیه سازی، دو مقاله تازه منتشر شده در حوزه ...

15 صفحه اول

طراحی و ساخت آشکارسازنوری فلز- نیمه هادی- فلز ریزساختار

چکیده آشکارسازهای نوری بخش مهم سیستمهای ارتباط نوری محسوب می شوند.آشکارسازها اساساً ابزار نیمه هادی هستند که انرژی نوری را جذب می کنند و آن را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند که معمولاً با عنوان جریان نوری بیان می گردد.در طراحی آشکارساز نوری باید به سازگاری آشکارساز نوری با بقیه قسمتهای سیستم توجه داشت که این امر به کوچک بودن اندازه آشکارساز ، پایین بودن ولتاژ بایاس و سهولت ملحق شدن به سیستم دری...

طراحی و شبیه سازی لیزر نیمه هادی توان بالای vecsel

در سال های اخیر لیزرها جای خود را در بسیاری از کاربردهای پزشکی و مهندسی باز کرده اند. در این بین لیزرهای نیمه هادی به دلیل ویژگی های خاص خود از اهمیت ویژه ای برخوردارند. پایان نامه ابتدا به تئوری لیزر می پردازد و سپس دو نوع لیزر نیمه هادی را مورد بررسی قرار می دهیم، که عبارتند از لیزر وی سل و لیزر وکسل. این لیزرها از نوع انتشار از سطح می باشند. البته تمرکز بیشتر همان طوری که از موضوع پایان نامه...

طراحی آشکار ساز نور uv با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدsio2، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی

در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق نانو ذرات سیلیکون،در لایه اکسید از ساختار فلز- اکسید – نیمه هادی، شبیه سازی شده است. ناحیه ی فعال این آشکارساز یک ساختار تونلی رزونانسی بر مبنای نقاط کوانتومی کروی سیلیکون می باشد. ساختار چند لایه ی رزونانس تونلی، به صورت آرایه ای از نقاط کوانتومی کروی سیلیکون در لایه اکسید در ساختار فلز – اکسید – نیمه هادی می باشد. در این...

15 صفحه اول

آنالیز و شبیه سازی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور اثر میدان- فلز نیمه هادی

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

15 صفحه اول

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023